Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / 1N5711W-7
Herstellerteilenummer | 1N5711W-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5711W-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5711W-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Schottky - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 70V |
Strom - max | 15mA |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | 333mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5711W-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5711W-7-FT |
BA592E6433HTMA1
Infineon Technologies
BA595E6327HTSA1
Infineon Technologies
BA595E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR 63-03W E6433
Infineon Technologies
BAR5003WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6203WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 892 E6127
Infineon Technologies
BA 892 E6327
Infineon Technologies
BA 892 E6433
Infineon Technologies
BA 892 L6327
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
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5SGXEA5H2F35C2L
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10AX090H1F34E1SG
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EP20K300EBC652-2X
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EP1C12F324C7N
Intel
5SGSMD4H2F35C2L
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