Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5806TR
Herstellerteilenummer | 1N5806TR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-1N5806TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5806TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 150V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | A, Axial |
Supplier Device Package | A-PAK |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5806TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5806TR-FT |
APT10SCD65K
Microsemi Corporation
APT15D30KG
Microsemi Corporation
APT15D40KG
Microsemi Corporation
APT15S20KG
Microsemi Corporation
APT20SCD65K
Microsemi Corporation
MS1645
Microsemi Corporation
JANTX1N5615
Microsemi Corporation
JANS1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N5617
Microsemi Corporation
JANS1N5615
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel