Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5807US
Herstellerteilenummer | 1N5807US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5807US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5807US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5807US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5807US-FT |
VS-MURB820-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C22C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C22L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C28J
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32J
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel