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Microsemi Corporation 1N5809US

Name: 1N5809US
Brand: Microsemi Corporation
SKU: 1N5809US
Price: 9.04 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (499 reviews)

MFG-Teilenummer: 1N5809US

verfügbare Anzahl: 68050 Stücke

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: - DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Dioden - Gleichrichter - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: 1N5809US.pdf

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1N5809US Spezifikationen

Herstellerteilenummer	1N5809US
Zukünftige Teilenummer	FT-1N5809US
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
1N5809US Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Diodentyp	Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)	100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)	3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	875mV @ 4A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F	60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	SQ-MELF, B
Supplier Device Package	B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang	-65°C ~ 175°C
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
1N5809US Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	1N5809US-FT

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