Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5814R
Herstellerteilenummer | 1N5814R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5814R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
1N5814R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | - |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5814R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5814R-FT |
1N4006G BK
Central Semiconductor Corp
1N4006GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007 BK
Central Semiconductor Corp
1N4148-1/TR
Microsemi Corporation
1N4148UB
Microsemi Corporation
1N4148UBCA
Microsemi Corporation
1N4148UBCC
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel