Herstellerteilenummer | 1N5815 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5815 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
1N5815 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | - |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5815 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5815-FT |
1N4006GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007 BK
Central Semiconductor Corp
1N4148-1/TR
Microsemi Corporation
1N4148UB
Microsemi Corporation
1N4148UBCA
Microsemi Corporation
1N4148UBCC
Microsemi Corporation
1N4148UBD
Microsemi Corporation
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel