Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5817-E3/53
Herstellerteilenummer | 1N5817-E3/53 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-1N5817-E3/53 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5817-E3/53 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3.1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | 125pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817-E3/53 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5817-E3/53-FT |
SB150-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF4004-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4005GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4007E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5817-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB130-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB260S-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel