Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5817 A0G
Herstellerteilenummer | 1N5817 A0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5817 A0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5817 A0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817 A0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5817 A0G-FT |
SR804HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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