Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5817M-13
Herstellerteilenummer | 1N5817M-13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5817M-13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5817M-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
Supplier Device Package | MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -60°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817M-13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5817M-13-FT |
FR803
Diodes Incorporated
FR804
Diodes Incorporated
FR805
Diodes Incorporated
MBR1030
Diodes Incorporated
MBR1040
Diodes Incorporated
MBR1630
Diodes Incorporated
MBR1640
Diodes Incorporated
MBR730
Diodes Incorporated
MBR740
Diodes Incorporated
SBL1030
Diodes Incorporated
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel