Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5817 R0G
Herstellerteilenummer | 1N5817 R0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5817 R0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5817 R0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817 R0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5817 R0G-FT |
UF1B R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1BHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1BHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1BHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel