Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5817 R1G
Herstellerteilenummer | 1N5817 R1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5817 R1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5817 R1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817 R1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5817 R1G-FT |
1N4007G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5819 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR105G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4007 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR103G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR104G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER102G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER108G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel