Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5820 R0G
Herstellerteilenummer | 1N5820 R0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5820 R0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5820 R0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 475mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AD, Axial |
Supplier Device Package | DO-201AD |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5820 R0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5820 R0G-FT |
SF63G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64G B0G
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SF64GHA0G
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SF64GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65G B0G
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SF65GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
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LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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EP2AGX65DF29C6
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