Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5822 R0G
Herstellerteilenummer | 1N5822 R0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5822 R0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5822 R0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 525mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 40V |
Kapazität @ Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AD, Axial |
Supplier Device Package | DO-201AD |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5822 R0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5822 R0G-FT |
SF64G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF66G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF66GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF66GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel