Herstellerteilenummer | 1N5830 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5830 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5830 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 25V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 25A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 25A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2mA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
Supplier Device Package | DO-4 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5830 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5830-FT |
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A54SX16-2VQG100I
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EP2C20F256C6N
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XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
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EPF8282ALC84-4
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EP20K200EQC240-2X
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EP20K300EQC208-2
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