Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / 1N5917B G
Herstellerteilenummer | 1N5917B G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5917B G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5917B G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 1.25W |
Impedanz (max.) (Zzt) | 5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1.5V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5917B G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5917B G-FT |
1N5913AP/TR12
Microsemi Corporation
1N5913AP/TR8
Microsemi Corporation
1N5913APE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5913APE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5913BE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5913BP/TR12
Microsemi Corporation
1N5913BP/TR8
Microsemi Corporation
1N5913BPE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5913BPE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5913C G
Microsemi Corporation
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation