Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / 1N6007B-TP
Herstellerteilenummer | 1N6007B-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6007B-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6007B-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 20V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 48 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 15V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 100mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6007B-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6007B-TP-FT |
SMAJ5954BE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5954CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5954E3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5955AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5955BE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5955CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5955E3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5956AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5956BE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5956CE3/TR13
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
XC5VLX30-2FF324C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C2
Intel
EP4CE55F29C6
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel