Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / 1N6012B-TP
Herstellerteilenummer | 1N6012B-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6012B-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6012B-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 88 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 25V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 100mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6012B-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6012B-TP-FT |
SMAJ5951E3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5952AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5952BE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5952CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5952E3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5953AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5953BE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5953CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5953E3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ5954AE3/TR13
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel