Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N6080US
Herstellerteilenummer | 1N6080US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6080US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6080US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 37.7A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, G |
Supplier Device Package | G-MELF (D-5C) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 155°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6080US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6080US-FT |
1N4248GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4248GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4254
Microsemi Corporation
1N4255
Microsemi Corporation
1N4256
Microsemi Corporation
1N4305-1
Microsemi Corporation
1N4305-1E3
Microsemi Corporation
1N4446 BK
Central Semiconductor Corp
1N4448 BK
Central Semiconductor Corp
1N4449 BK
Central Semiconductor Corp
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel