Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N6170US
Herstellerteilenummer | 1N6170US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6170US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6170US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 114V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 135V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 216.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 6.9A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6170US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6170US-FT |
1N6143AUS
Semtech Corporation
1N6143US
Semtech Corporation
1N6144
Semtech Corporation
1N6144A
Semtech Corporation
1N6144AUS
Semtech Corporation
1N6144US
Semtech Corporation
1N6145
Semtech Corporation
1N6145A
Semtech Corporation
1N6145AUS
Semtech Corporation
1N6145US
Semtech Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel