Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N6357
Herstellerteilenummer | 1N6357 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6357 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6357 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 8V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 9.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 11.5V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 100A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-13 |
Supplier Device Package | DO-13 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6357 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6357-FT |
1N5645
Microsemi Corporation
1N5645A
Microsemi Corporation
1N5647
Microsemi Corporation
1N5648
Littelfuse Inc.
1N5648A
Microsemi Corporation
1N5649
Microsemi Corporation
1N5649A
Microsemi Corporation
1N5650
Microsemi Corporation
1N5650A
Microsemi Corporation
1N5651A
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel