Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N6373-E3/51
Herstellerteilenummer | 1N6373-E3/51 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6373-E3/51 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TransZorb® |
1N6373-E3/51 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 7.5V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 160A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AA, DO-27, Axial |
Supplier Device Package | 1.5KE |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6373-E3/51 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6373-E3/51-FT |
1.5KE160CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE16AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE16CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE170AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE170CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE180CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE18AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE18CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE200AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE200CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation