Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N6377-E3/51
Herstellerteilenummer | 1N6377-E3/51 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6377-E3/51 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TransZorb® |
1N6377-E3/51 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 15V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 17.6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 20.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 60A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AA, DO-27, Axial |
Supplier Device Package | 1.5KE |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6377-E3/51 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6377-E3/51-FT |
1N6271AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel