Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N6382HE3_A/C
Herstellerteilenummer | 1N6382HE3_A/C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6382HE3_A/C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
1N6382HE3_A/C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 8V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 9.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 11.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 100A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AA, DO-27, Axial |
Supplier Device Package | 1.5KE |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6382HE3_A/C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6382HE3_A/C-FT |
1N6276A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6277A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6277AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6279A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6279A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation