Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N6382HE3_A/D
Herstellerteilenummer | 1N6382HE3_A/D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6382HE3_A/D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
1N6382HE3_A/D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 8V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 9.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 11.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 100A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AA, DO-27, Axial |
Supplier Device Package | 1.5KE |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6382HE3_A/D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6382HE3_A/D-FT |
1.5KE200AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE200CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE20AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE20CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE220AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE220CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE22AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE22CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE24AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE24CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC4013E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR3H43C2L
Intel
XC7A200T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel