Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N6461US
Herstellerteilenummer | 1N6461US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6461US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6461US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 5.6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 9V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 315A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, Axial |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6461US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6461US-FT |
JAN1N6143A
Microsemi Corporation
JAN1N6144A
Microsemi Corporation
JAN1N6145A
Microsemi Corporation
JAN1N6147A
Microsemi Corporation
JAN1N6148A
Microsemi Corporation
JAN1N6149A
Microsemi Corporation
JAN1N6150A
Microsemi Corporation
JAN1N6151A
Microsemi Corporation
JAN1N6152A
Microsemi Corporation
JAN1N6153A
Microsemi Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel