Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N649-1
Herstellerteilenummer | 1N649-1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N649-1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N649-1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 400mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50nA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N649-1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N649-1-FT |
1N5416
Microsemi Corporation
JANTX1N5416
Microsemi Corporation
JAN1N5416
Microsemi Corporation
JAN1N5416US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5416
Microsemi Corporation
JANTX1N5194
Microsemi Corporation
JANTX1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N6628US
Microsemi Corporation
JAN1N6629US
Microsemi Corporation
JAN1N6631US
Microsemi Corporation
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel