Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N6620US
Herstellerteilenummer | 1N6620US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6620US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6620US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 220V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 220V |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | A-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6620US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6620US-FT |
1N4526
Microsemi Corporation
1N4527
Microsemi Corporation
1N4528
Microsemi Corporation
1N4531
Microsemi Corporation
1N4532
Microsemi Corporation
1N4532UR
Microsemi Corporation
1N4534
Microsemi Corporation
1N4534UR
Microsemi Corporation
1N4550A
Microsemi Corporation
1N4551A
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
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Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel