Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N6629US
Herstellerteilenummer | 1N6629US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6629US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6629US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 880V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.4A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2µA @ 880V |
Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | A-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6629US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6629US-FT |
1N4534
Microsemi Corporation
1N4534UR
Microsemi Corporation
1N4550A
Microsemi Corporation
1N4551A
Microsemi Corporation
1N4552A
Microsemi Corporation
1N4553A
Microsemi Corporation
1N483
Microsemi Corporation
1N483A
Microsemi Corporation
1N483B
Microsemi Corporation
1N485B BK
Central Semiconductor Corp
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel