Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N6631US
Herstellerteilenummer | 1N6631US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6631US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6631US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.4A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4µA @ 1100V |
Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | A-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6631US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6631US-FT |
1N4550A
Microsemi Corporation
1N4551A
Microsemi Corporation
1N4552A
Microsemi Corporation
1N4553A
Microsemi Corporation
1N483
Microsemi Corporation
1N483A
Microsemi Corporation
1N483B
Microsemi Corporation
1N485B BK
Central Semiconductor Corp
1N4864 BK
Central Semiconductor Corp
1N486A
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel