Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N6640US
Herstellerteilenummer | 1N6640US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6640US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6640US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 300mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, D |
Supplier Device Package | D-5D |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6640US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6640US-FT |
DSB0.2A40
Microsemi Corporation
DSB0.5A20
Microsemi Corporation
DSB0.5A30
Microsemi Corporation
DSB0.5A40
Microsemi Corporation
DSB2810
Microsemi Corporation
DSB3A20
Microsemi Corporation
DSB3A30
Microsemi Corporation
DSB3A40
Microsemi Corporation
DSB5712
Microsemi Corporation
APT60S20SG/TR
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel