Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N8165US
Herstellerteilenummer | 1N8165US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N8165US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N8165US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 33V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 37.1V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 53.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 2.8A |
Leistung - Spitzenimpuls | 150W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N8165US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N8165US-FT |
1N6056
Microsemi Corporation
1N6057
Microsemi Corporation
1N6058
Microsemi Corporation
1N6059
Microsemi Corporation
1N6060
Microsemi Corporation
1N6061
Microsemi Corporation
1N6062
Microsemi Corporation
1N6063
Microsemi Corporation
1N6064
Microsemi Corporation
1N6065
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel