Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N8176US
Herstellerteilenummer | 1N8176US |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-1N8176US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
1N8176US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | - |
Spannung - Durchschlag (min.) | - |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | - |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | - |
Leistung - Spitzenimpuls | - |
Stromleitungsschutz | - |
Anwendungen | - |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N8176US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N8176US-FT |
1N6124US
Microsemi Corporation
1N6125US
Microsemi Corporation
1N6126US
Microsemi Corporation
1N6127US
Microsemi Corporation
1N6128US
Microsemi Corporation
1N6129US
Microsemi Corporation
1N6130US
Microsemi Corporation
1N6131US
Microsemi Corporation
1N6132US
Microsemi Corporation
1N6133US
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel