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Herstellerteilenummer | 24C02CT-E/MNY |
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Zukünftige Teilenummer | FT-24C02CT-E/MNY |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
24C02CT-E/MNY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EEPROM |
Technologie | EEPROM |
Speichergröße | 2Kb (256 x 8) |
Taktfrequenz | 100kHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 1.5ms |
Zugriffszeit | 3500ns |
Speicherschnittstelle | I²C |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-WFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 8-TDFN (2x3) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24C02CT-E/MNY Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 24C02CT-E/MNY-FT |
M95640-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
W25M02GVZEIG TR
Winbond Electronics
W25M02GVZEIT TR
Winbond Electronics
W25M512JVEIQ
Winbond Electronics
W25M512JVEIQ TR
Winbond Electronics
W25N01GVZEIT TR
Winbond Electronics
W25Q128FWEIG TR
Winbond Electronics
W25Q128FWPIG TR
Winbond Electronics
W25Q128JVEIM
Winbond Electronics
W25Q128JVEIM TR
Winbond Electronics
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel