Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2DA2018-7
Herstellerteilenummer | 2DA2018-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2DA2018-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2DA2018-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V |
Leistung max | 150mW |
Frequenz - Übergang | 260MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-523 |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2DA2018-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2DA2018-7-FT |
DXT5401-13
Diodes Incorporated
DXT751-13
Diodes Incorporated
DXTA42-13
Diodes Incorporated
2DB1386Q-13
Diodes Incorporated
2DD1766Q-13
Diodes Incorporated
BSR33QTA
Diodes Incorporated
2DB1132Q-13
Diodes Incorporated
2DD2150R-13
Diodes Incorporated
BC868TA
Diodes Incorporated
BC869TA
Diodes Incorporated
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
Intel
EP1S20F484I6N
Intel
10AX032E3F27I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEABN2F45C3N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel