Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2N3416_D26Z
Herstellerteilenummer | 2N3416_D26Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N3416_D26Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N3416_D26Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 75 @ 2mA, 4.5V |
Leistung max | 625mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3416_D26Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N3416_D26Z-FT |
SS8550DTA
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M2GL010S-1FGG484I
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EP20K200EFC484-2N
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5SGXEA3K2F40C2N
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EP4SGX530HH35C3NES
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XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
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10AX115R2F40I2LG
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EP20K100QC240-1
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EP20K60EQI208-2X
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