Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2N3417_D26Z
Herstellerteilenummer | 2N3417_D26Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N3417_D26Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N3417_D26Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 180 @ 2mA, 4.5V |
Leistung max | 625mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3417_D26Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N3417_D26Z-FT |
BC636TA
ON Semiconductor
PN2907ATA
ON Semiconductor
BC557BTF
ON Semiconductor
BC547BTF
ON Semiconductor
BC546CTA
ON Semiconductor
KSA1013OTA
ON Semiconductor
2N4403TAR
ON Semiconductor
KSD471ACYTA
ON Semiconductor
KSP43TA
ON Semiconductor
2N6517CTA
ON Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel