Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2N3636UB
Herstellerteilenummer | 2N3636UB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N3636UB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N3636UB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 175V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
Leistung max | 1.5W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-SMD, No Lead |
Supplier Device Package | 3-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3636UB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N3636UB-FT |
2SA1201-Y-TP
Micro Commercial Co
2SC1623-L6-TP
Micro Commercial Co
2SC2881-O-TP
Micro Commercial Co
BCX41QTA
Diodes Incorporated
DXT651Q-13
Diodes Incorporated
DXT751Q-13
Diodes Incorporated
FZT491AQTA
Diodes Incorporated
FZT591AQTA
Diodes Incorporated
MMS8050-H-TP
Micro Commercial Co
MMS8050-L-TP
Micro Commercial Co
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel