Herstellerteilenummer | 2N3808 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N3808 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N3808 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Leistung max | 600mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-78-6 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-78-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3808 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N3808-FT |
JANSR2N3810U
Microsemi Corporation
JAN2N2060L
Microsemi Corporation
JAN2N2919L
Microsemi Corporation
JAN2N2919U
Microsemi Corporation
JAN2N2920L
Microsemi Corporation
JAN2N2920U
Microsemi Corporation
JAN2N3810L
Microsemi Corporation
JAN2N3810U
Microsemi Corporation
JAN2N6987
Microsemi Corporation
JAN2N6988
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-1FGG676C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC6VCX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF256C8G
Intel
5SGXEABN3F45I4N
Intel
LCMXO2-4000HE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation