Herstellerteilenummer | 2N3960 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N3960 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N3960 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
Leistung max | 400mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3960 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N3960-FT |
2N696
Microsemi Corporation
2N696S
Microsemi Corporation
2N697
Microsemi Corporation
2N697S
Microsemi Corporation
2N918UB
Microsemi Corporation
2N930
Microsemi Corporation
2N930A
Microsemi Corporation
BC847BFAQ-7B
Diodes Incorporated
TIP29A SL
Central Semiconductor Corp
TIP31C SL
Central Semiconductor Corp
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel