Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2N4449UB
Herstellerteilenummer | 2N4449UB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N4449UB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/317 |
2N4449UB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 400nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 360mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | UB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4449UB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N4449UB-FT |
2N5879
Microsemi Corporation
2N5880
Microsemi Corporation
2N5883
Microsemi Corporation
2N5886
Microsemi Corporation
2N5954
Microsemi Corporation
2N5956
Microsemi Corporation
2N6049
Microsemi Corporation
2N6051
Microsemi Corporation
2N6058
Microsemi Corporation
2N6059
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel