Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2N4449UB
Herstellerteilenummer | 2N4449UB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N4449UB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/317 |
2N4449UB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 400nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 360mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | UB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4449UB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N4449UB-FT |
2N5879
Microsemi Corporation
2N5880
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2N6051
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Microsemi Corporation
2N6059
Microsemi Corporation
AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
APA600-FG256I
Microsemi Corporation
5CEFA7M15I7N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
EP2SGX30CF780C4
Intel