Herstellerteilenummer | 2N5367 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N5367 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N5367 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 300mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 30mA, 300mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 50mA, 1V |
Leistung max | 625mW |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5367 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N5367-FT |
JANTXV2N3420
Microsemi Corporation
JANTXV2N3420S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3715
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel