Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2N5401-AP
Herstellerteilenummer | 2N5401-AP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N5401-AP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N5401-AP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 600mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 150V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Leistung max | 1.5W |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5401-AP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N5401-AP-FT |
JANTXV2N6298
Microsemi Corporation
JANTXV2N6300
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JANTXV2N6306
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JANTXV2N6383
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JANTXV2N6675
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JANTXV2N6676
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
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XC3S400-4FG320I
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XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XCV300-5FG456C
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LFE2-12E-5Q208C
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EP4CGX110CF23C7
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EPF10K30AFC256-2N
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EP20K60EFC144-3
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ICE40LP1K-CM121
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EP1S80F1020I7
Intel