Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / 2N6397G
Herstellerteilenummer | 2N6397G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N6397G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N6397G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 400V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 30mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 2.2V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 12A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 50mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 100A @ 60Hz |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6397G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N6397G-FT |
TXN692RG
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TYN1006RG
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A40MX04-1VQG80
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
EP2AGX125EF35C6
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