Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / 2N6399G
Herstellerteilenummer | 2N6399G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N6399G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N6399G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 800V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 30mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 2.2V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 12A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 50mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 100A @ 60Hz |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6399G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N6399G-FT |
TS110-8A2-AP
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TYN810RG
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XC4010XL-09TQ144C
Xilinx Inc.
EPF10K30ATC144-2
Intel
LFE2-20SE-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel