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Herstellerteilenummer | 2N6507G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N6507G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N6507G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 400V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 30mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.8V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 16A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 25A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 40mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 250A @ 60Hz |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6507G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N6507G-FT |
TYN1225RG
STMicroelectronics
TYN1012RG
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TYN1012TRG
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TN2015H-6T
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TN1610H-6T
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TS820-600T
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TS420-600T
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TYN606RG
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TYN840RG
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TYN616RG
STMicroelectronics
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1BQU
Microchip Technology
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C7
Intel
M1AFS1500-FGG676I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
EPF10K10AQC208-2
Intel
EP4SGX230FF35C3
Intel