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ON Semiconductor 2N7002ET1G
- MFG-Teilenummer
- 2N7002ET1G
- verfügbare Anzahl
- 89270 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.029016
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- 2N7002ET1G.pdf
2N7002ET1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | 2N7002ET1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-2N7002ET1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| 2N7002ET1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 260mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 240mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.81nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 26.7pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 300mW (Tj) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2N7002ET1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | 2N7002ET1G-FT |
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