Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1162GT1
Herstellerteilenummer | 2SA1162GT1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SA1162GT1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SA1162GT1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Leistung max | 200mW |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SC-59 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1162GT1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SA1162GT1-FT |
NSS30100LT1G
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Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
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5SGSMD6N3F45C2N
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LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
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EPF8282ALC84-4N
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