Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SA2012-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SA2012-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SA2012-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SA2012-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 210mV @ 30mA, 1.5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 3.5W |
Frequenz - Übergang | 420MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA2012-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SA2012-TD-E-FT |
BC859CLT1
ON Semiconductor
BC859CLT1G
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BCW33LT1
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EPF10K10ATC144-1N
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XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
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10M04SFE144C8G
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5AGXMA3D4F27C5N
Intel
A42MX16-PL84A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
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