Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SA2013-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SA2013-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SA2013-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SA2013-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 4A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 3.5W |
Frequenz - Übergang | 400MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA2013-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SA2013-TD-E-FT |
2SB1203S-H
ON Semiconductor
2SD1803S-H
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ON Semiconductor
2SB1216S-E
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2SC5706-E
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XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29I1SG
Intel
EP4SGX70HF35C4N
Intel