Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SA2016-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SA2016-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SA2016-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SA2016-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 7A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 3.5W |
Frequenz - Übergang | 330MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA2016-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SA2016-TD-E-FT |
BC859BLT1
ON Semiconductor
BC859BLT1G
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BC859BLT3G
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BC859CLT1
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A54SX08A-1PQG208
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10M50DCF484I6G
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5CEFA7M15C8N
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XC6VLX240T-2FF1759I
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LFXP2-17E-5QN208C
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LFE2M20E-6FN484C
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Lattice Semiconductor Corporation